Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT toi Millenium palkinnon Bantval Jayant Baligalle
Millennium-palkinto on myönnetty professori Bantval Jayant Baligalle hänen kehittämästään puolijohdekomponentista. Sen ansiosta sähkölaitteiden energiankulutus on pienentynyt. Bantvalin innovaatio on eristyshilainen bipolaaritransistori, insulated-gate bipolar transistor, lyhyemmin […]